Search form
Search
Navigation
HOME
PROFIL
Sejarah Singkat
VIsi, Misi dan Tujuan
Struktur Organisasi
Program & Kegiatan
PUSAT
PUSAT PENGEMBANGAN DAN PELAYANAN PENGUJIAN
SENTRA KEKAYAAN INTELEKTUAL DAN SNI
PUSAT UNGGULAN ILMU PENGETAHUAN, TEKNOLOGI, SENI, DAN OLAHRAGA
KOMISI ETIK
JURNAL
SIMPPM
SIM-HAKI
ECA-DRPM
DOWNLOAD
KONTAK KAMI
You are here
Home
» Preparasi dan karakterisasi bahan semikonduktor Cd(Se1-X,TeX) masif menggunakan teknik Bridgman dan lapisan tipis dengan teknik Closed Space Vapor Transport (CSVT) untuk aplikasi sel surya
Preparasi dan karakterisasi bahan semikonduktor Cd(Se1-X,TeX) masif menggunakan teknik Bridgman dan lapisan tipis dengan teknik Closed Space Vapor Transport (CSVT) untuk aplikasi sel surya
Submitted by
admin
on Mon, 2014-09-29 12:22
Nama Peneliti / Pengabdi:
Dr. Ariswan
Upload Abstrak:
Struktur Kristal.pdf
Jenis Abstrak:
Abstrak Penelitian
Tahun:
2011